S pomnilniki RRAM do 20-krat hitrejših pogonov Solid State

Pomnilniški elementi Resistive RAM bi lahko že v bližnji prihodnosti nadomestili pomnilnike, ki se danes uporabljajo za pripravo pomnilniških medijev za shranjevanje podatkov. Novinci so namreč v primerjavi z bliskovnimi pomnilniki energijsko varčnejši, hitrejši, prostornejši in bolj vzdržljivi.

Prve pomnilniške medije s pomnilniki RRAM bi lahko na prodajnih policah ugledali že v prvi polici naslednjega leta.

Podjetje Crossbar je prijetno presenetilo s predstavitvijo inovativnega pomnilnika, ki bi lahko že v bližnji prihodnosti prevzel mesto bliskovnega (flash) pomnilnika, ki se trenutno uporablja za pripravo pogonov Solid State in drugih pomnilniških medijev. Tu gre za pomnilniški element Resistive RAM (RRAM), ki prinaša večje kapacitete na enak »volumen«, boljšo »vzdržljivost« ter višjo hitrost prenosa in shranjevanja podatkov. Mnogi celo verjamejo, da bi lahko pomnilniški mediji s tovrstnimi pomnilniškimi čipi pričeli s tržišča izpodrivati sistemske pomnilnike.

Inženirji podjetja Crossbar zagotavljajo, da lahko z obstoječim proizvodnim procesom izdelajo pomnilniške čipe površine 200 kvadratnih milimetrov in kapacitete enega terabajta, ki pri delovanju porabijo zanemarljivo količino električne energije ter so za nameček celo 20-krat hitrejši od bliskovnih (flash) pomnilnikov. Ker naj bi novinci imeli kar 10-krat daljšo življenjsko dobo, bi se lahko uporabljali celo za dolgoročno shranjevanje podatkov. Zaradi nizkih proizvodnih stroškov bodo tovrstni pomnilniški mediji ponujali optimalno razmerje med ceno in razpoložljivim prostorom.

Podjetje Crossbar žal še ni razkrilo, kdaj bodo inovativni pomnilniški mediji RRAM nared za prosto prodajo. Glede na to, da je tehnologija za njihovo množično proizvodnjo že nared, bi lahko prve tovrstne medije na trgu ugledali že v prvi polovici naslednjega leta. Po vsej verjetnosti bodo sprva na voljo le pomnilniški ključi USB, nekoliko kasneje pa še pogoni Solid State.

Prijavi napako v članku