Barristor: Nova generacija gradnikov elektronskih naprav?

Silicijevi polprevodniški elementi bodo kmalu dosegli skrajno fizično mejo, kar posledično pomeni, da hitro povečevanje zmogljivosti procesorjev ne bo več mogoče. Zaradi omejitve, ki jo predstavlja silicij, znanstveniki vse bolj mrzlično iščejo njegov nadomestek. Odličen element bi lahko bil grafen, saj nima neželenih motenj električnih signalov, ki nastanejo pri zmanjševanju velikosti silicijevih gradnikov. Znanstveniki pa so v dosedanjih poskusih ugotovili, da grafen “prepušča” preveč električne energije. To dejansko pomeni, da je praktično nemogoče grafenske tranzistorje »na gosto« vstavljati v računalniške čipe.

Zaradi težav, ki jih povzroča grafen, so se inženirji podjetja Samsung Advanced Institute of Technology odločili za nekoliko drugačen pristop. Ti so dejansko pripravili vmesni člen, ki po eni strani preprečuje odvečni pretok električne energije skozi grafen po drugi pa ohranja njegove odlične električne lastnosti. Tega so vgradili med grafen in hidrogeniran silicij. Inženirji podjetja Samsung Advanced Institute of Technology so novi vmesni člen poimenovali Barristor in to zaradi načina delovanja, ki temelji na nadzorovani pregradi.

Da tu ne gre zgolj za suhoparno teorijo, so inženirji podjetja Samsung Advanced Institute of Technology dokazali s pripravo prvega delujočega prototipa. Tu je šlo za logično vezje, ki je bilo izdelano na silicijevi rezini premera 150 milimetrov. Ker je podjetje novo tehnologijo že patentiralo, obstaja zelo velika verjetnost, da bo ta postala del elektronskih naprav. To se po prvih napovedih utegne zgoditi šele proti koncu tega desetletja.