Der Wettlauf um schnellere und effizientere Mobilprozessoren hat einen neuen Meilenstein erreicht. Wissenschaftler der Fudan-Universit\u00e4t in Shanghai haben den ersten voll funktionsf\u00e4higen 2D-Flash-Chip vorgestellt, der ultraschnelle 2D-Speichertechnologie mit einer ausgereiften siliziumbasierten CMOS-Plattform kombiniert.
Der Baustein unterst\u00fctzt 8-Bit-Befehle und parallele 32-Bit-Direktzugriffsverarbeitung und erreicht eine Speicherzelleneffizienz von 94,3 Prozent. Die Betriebsgeschwindigkeit \u00fcbertrifft bestehende Flash-Technologien und markiert die erste erfolgreiche Integration von 2D-Materialien mit Silizium.
Im Zeitalter der k\u00fcnstlichen Intelligenz, in dem die Geschwindigkeit des Datenzugriffs entscheidend ist, l\u00f6st diese Innovation eine der gr\u00f6\u00dften Herausforderungen der modernen Computertechnik, n\u00e4mlich langsame und energieverschwendende Speicherarchitekturen.
Das Team entwickelte im April einen Prototyp des PoX 2D-Flash-Speichers, der eine Schreibgeschwindigkeit von 400 Pikosekunden erreichte. Dies ist der schnellste jemals aufgezeichnete Schreibvorgang. Durch die Integration in bestehende CMOS-Plattformen konnten die Wissenschaftler die Zeit bis zur kommerziellen Nutzung deutlich verk\u00fcrzen.
Mithilfe flexibler 2D-Materialien und eines modularen Ansatzes schufen sie stabile Verbindungen zwischen 2D-Schaltungen und CMOS-Substraten auf atomarer Ebene und erm\u00f6glichten so eine effiziente Kommunikation zwischen den beiden Technologien.
Der Chip hat die Tape-Out-Phase bereits abgeschlossen. In den n\u00e4chsten drei bis f\u00fcnf Jahren sind die Pilotproduktion und die Erweiterung auf ein Megabyte-System geplant. Experten zufolge wird diese Technologie zun\u00e4chst in Speicherbausteinen kommerzialisiert, da sie weniger strenge Produktionsbedingungen erfordert, aber eine au\u00dfergew\u00f6hnliche Leistung bietet.<\/p>\n