¿La luz como clave para el futuro de la memoria?

Todo ordenador necesita memoria del sistema. Esta es, en realidad, memoria de acceso aleatorio (RAM) que almacena temporalmente los datos del sistema operativo. La velocidad es fundamental, ya que el sistema accede constantemente a los datos. Una de las formas más avanzadas de memoria del sistema es la memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva (MRAM), que es extremadamente rápida y no volátil. Conserva los datos incluso cuando se apaga el ordenador.

Científicos de la Universidad Hebrea de Jerusalén han descubierto una forma completamente nueva de controlar el estado magnético de los sólidos mediante un haz láser. El descubrimiento, publicado en la revista Physical Review Research, representa un avance crucial en la comprensión de la interacción entre la luz y los materiales magnéticos.

«Este descubrimiento tiene un gran potencial para el desarrollo de memorias magnetoresistivas controladas ópticamente que serán extremadamente rápidas y eficientes energéticamente», afirmó Amir Capua, director del Laboratorio de Espintrónica. La espintrónica, que combina el espín del electrón y la electrónica, es la base de las memorias magnetoresistivas, donde los datos se almacenan mediante magnetización.

Los investigadores han descubierto que las ondas de luz que oscilan rápidamente pueden controlar imanes. Han utilizado una nueva ecuación para describir la intensidad de la interacción, la amplitud del campo magnético de la luz, la frecuencia y la absorción de energía del material magnético.

Aunque la relación entre la luz y el magnetismo es bien conocida en física cuántica, rara vez se utiliza en espintrónica. Estos nuevos hallazgos podrían permitir el desarrollo de dispositivos de almacenamiento óptico densos, asequibles y energéticamente eficientes, incluso algunos que aún no existen.