La revolución atómica en la tecnología de la memoria

La carrera por procesadores móviles más rápidos y eficientes ha alcanzado un nuevo hito. Científicos de la Universidad de Fudan en Shanghái han presentado el primer chip flash 2D completamente funcional, que combina tecnología de memoria 2D ultrarrápida con una plataforma CMOS madura basada en silicio.

El dispositivo admite instrucciones de 8 bits y procesamiento de acceso aleatorio paralelo de 32 bits, y alcanza una eficiencia de celda de memoria del 94,3 %. Su velocidad de operación supera las tecnologías flash existentes, lo que marca la primera integración exitosa de materiales 2D con silicio.

En la era de la inteligencia artificial, donde la velocidad de acceso a los datos es crucial, esta innovación resuelve uno de los mayores desafíos de la informática moderna, es decir, las arquitecturas de memoria lentas y que desperdician energía.

El equipo desarrolló un prototipo de memoria flash PoX 2D en abril, alcanzando una velocidad de escritura de 400 picosegundos. Esta es la escritura de memoria más rápida jamás registrada. Al integrarla en las plataformas CMOS existentes, los científicos han reducido significativamente el tiempo de uso comercial.

Utilizando materiales 2D flexibles y un enfoque modular, crearon conexiones estables entre circuitos 2D y sustratos CMOS a nivel atómico, lo que permitió una comunicación eficiente entre las dos tecnologías.

El chip ya ha completado la fase de producción, y se planea la producción piloto y su expansión a un sistema de megabytes en los próximos tres a cinco años. Según los expertos, esta tecnología se comercializará primero en dispositivos de memoria, ya que requiere condiciones de producción menos rigurosas y ofrece un rendimiento excepcional.