La révolution atomique dans la technologie de la mémoire

La course aux processeurs mobiles plus rapides et plus performants franchit une nouvelle étape. Des scientifiques de l'Université Fudan de Shanghai ont dévoilé la première puce flash 2D entièrement fonctionnelle, combinant une technologie de mémoire 2D ultrarapide à une plateforme CMOS à base de silicium mature.

Le dispositif prend en charge les instructions 8 bits et le traitement d'accès aléatoire parallèle 32 bits, et atteint un rendement de 94,3 % des cellules mémoire. Sa vitesse de fonctionnement dépasse celle des technologies flash existantes, marquant la première intégration réussie de matériaux 2D avec du silicium.

À l’ère de l’intelligence artificielle, où la vitesse d’accès aux données est cruciale, cette innovation résout l’un des plus grands défis de l’informatique moderne, à savoir les architectures mémoire lentes et gaspilleuses d’énergie.

L'équipe a développé un prototype de mémoire flash PoX 2D en avril, atteignant une vitesse d'écriture de 400 picosecondes. Il s'agit de l'écriture mémoire la plus rapide jamais enregistrée. En l'intégrant aux plateformes CMOS existantes, les scientifiques ont considérablement réduit le délai d'utilisation commerciale.

En utilisant des matériaux 2D flexibles et une approche modulaire, ils ont créé des connexions stables entre les circuits 2D et les substrats CMOS au niveau atomique, permettant une communication efficace entre les deux technologies.

La puce a déjà terminé sa phase de production, et une production pilote et une extension à un système à mégaoctets sont prévues dans les trois à cinq prochaines années. Selon les experts, cette technologie sera d'abord commercialisée dans les dispositifs de mémoire, car elle nécessite des conditions de production moins strictes tout en offrant des performances exceptionnelles.