Atomska revolucija u tehnologiji pamćenja

Utrka za bržim i učinkovitijim mobilnim procesorima dosegla je novu prekretnicu. Znanstvenici sa Sveučilišta Fudan u Šangaju predstavili su prvi potpuno funkcionalni 2D flash čip, kombinirajući ultrabrzu 2D memorijsku tehnologiju sa zrelom CMOS platformom na bazi silicija.

Uređaj podržava 8-bitne instrukcije i 32-bitnu paralelnu obradu s nasumičnim pristupom te postiže učinkovitost memorijskih ćelija od 94,3 posto. Brzina rada premašuje postojeće flash tehnologije, što označava prvu uspješnu integraciju 2D materijala sa silicijem.

U eri umjetne inteligencije, gdje je brzina pristupa podacima ključna, ova inovacija rješava jedan od najvećih izazova modernog računarstva, a to su spore i energetski rasipne memorijske arhitekture.

Tim je u travnju razvio prototip PoX 2D flash memorije, postižući brzinu pisanja od 400 pikosekundi. Ovo je najbrže ikad zabilježeno pisanje u memoriju. Integracijom u postojeće CMOS platforme, znanstvenici su značajno smanjili vrijeme do komercijalne upotrebe.

Koristeći fleksibilne 2D materijale i modularni pristup, stvorili su stabilne veze između 2D sklopova i CMOS podloga na atomskoj razini, omogućujući učinkovitu komunikaciju između dviju tehnologija.

Čip je već završio fazu uklanjanja s trake, a pilotna proizvodnja i proširenje na megabajtni sustav planirani su u sljedećih tri do pet godina. Prema riječima stručnjaka, ova će se tehnologija prvo komercijalizirati u memorijskim uređajima, jer zahtijeva manje stroge uvjete proizvodnje, ali nudi iznimne performanse.