La rivoluzione atomica nella tecnologia della memoria

La corsa verso processori mobili più veloci ed efficienti ha raggiunto un nuovo traguardo. Gli scienziati dell'Università Fudan di Shanghai hanno presentato il primo chip flash 2D completamente funzionante, che combina la tecnologia di memoria 2D ultraveloce con una piattaforma CMOS matura basata sul silicio.

Il dispositivo supporta istruzioni a 8 bit e l'elaborazione ad accesso casuale parallelo a 32 bit, raggiungendo un'efficienza delle celle di memoria del 94,3%. La velocità operativa supera quella delle tecnologie flash esistenti, segnando la prima integrazione riuscita di materiali 2D con il silicio.

Nell'era dell'intelligenza artificiale, in cui la velocità di accesso ai dati è fondamentale, questa innovazione risolve una delle più grandi sfide dell'informatica moderna, ovvero le architetture di memoria lente e che consumano molta energia.

Ad aprile, il team ha sviluppato un prototipo di memoria flash PoX 2D, raggiungendo una velocità di scrittura di 400 picosecondi. Si tratta della scrittura su memoria più veloce mai registrata. Integrandola nelle piattaforme CMOS esistenti, gli scienziati hanno ridotto significativamente i tempi di utilizzo commerciale.

Utilizzando materiali 2D flessibili e un approccio modulare, hanno creato connessioni stabili tra circuiti 2D e substrati CMOS a livello atomico, consentendo una comunicazione efficiente tra le due tecnologie.

Il chip ha già completato la fase di tape-out e la produzione pilota e l'espansione a un sistema megabyte sono previste nei prossimi tre-cinque anni. Secondo gli esperti, questa tecnologia sarà inizialmente commercializzata nei dispositivi di memoria, poiché richiede condizioni di produzione meno rigorose ma offre prestazioni eccezionali.