存储技术的原子革命

Znanstveniki z Univerze Fudan so predstavili prvi popolnoma funkcionalni 2D flash čip, ki združuje atomsko tanek pomnilnik s silicijevo CMOS tehnologijo. Inovacija obljublja revolucijo v hitrosti in energetski učinkovitosti pomnilniških naprav.

Atomska revolucija v pomnilniški tehnologiji

更快、更高效的移动处理器竞争已达到新的里程碑。上海复旦大学的科学家们推出了首款功能齐全的二维闪存芯片，该芯片将超快二维存储技术与成熟的硅基CMOS平台相结合。

该设备支持8位指令和32位并行随机访问处理，存储单元效率高达94.3%，运行速度超越现有闪存技术，标志着二维材料与硅的首次成功集成。

在人工智能时代，数据访问速度至关重要，这项创新解决了现代计算的最大挑战之一，即缓慢且浪费能源的内存架构。

该团队于今年4月开发了PoX二维闪存原型，实现了400皮秒的写入速度。这是迄今为止最快的内存写入速度。通过将其集成到现有的CMOS平台中，科学家们显著缩短了其商业化应用的时间。

他们利用柔性二维材料和模块化方法，在原子层面上建立了二维电路和CMOS基板之间的稳定连接，实现了两种技术之间的有效通信。

该芯片已完成流片阶段，计划在未来三到五年内进行试生产并扩展至兆字节系统。专家表示，该技术将首先在存储设备领域实现商业化，因为它对生产条件要求较低，但性能却非常出色。