Samsung dévoile son nouveau SSD 990 en avant-première : moins de capacité pour un prix inférieur ?

Samsung devrait bientôt lancer un SSD d'entrée de gamme, sobrement baptisé Samsung 990. Ce SSD M.2 NVMe promet d'être le plus abordable du marché pour les utilisateurs au quotidien. Il sera compatible avec les ordinateurs portables et de bureau.

Alors que le modèle 990 EVO Plus, plus puissant, offre une interface PCIe Gen 4 x4 ou Gen 5 x2 flexible, la nouvelle Samsung 990 est strictement limitée au bus PCIe Gen 4 x4 standard. Les premières informations ont rapidement disparu du site web du fabricant, mais les captures d'écran officielles fournissaient des informations suffisamment claires.

Comme on pouvait s'y attendre pour cette gamme de prix, ce nouveau modèle fonctionne sans mémoire DRAM dédiée. Il utilise à la place le contrôleur propriétaire de Samsung, ce qui implique toutefois certains compromis en termes de durée de vie. Samsung a opté pour son propre contrôleur 5 nanomètres optimisé, issu de la gamme Samsung Piccolo (plus précisément la version PiccoloQ). Ce contrôleur, extrêmement économe en énergie, prend en charge nativement le protocole NVMe 2.0 et permet des vitesses de lecture séquentielles élevées malgré la réduction du nombre de composants.

Comme le disque ne possède pas sa propre mémoire DRAM, il utilise le protocole NVMe pour « emprunter » une petite partie de la RAM de votre ordinateur, ce qui permet au format M.2 de rester très réactif sans augmenter les coûts de fabrication.

Les données indiquent une endurance en écriture inférieure à celle des modèles TLC, ce qui suggère que Samsung a utilisé la technologie flash NAND QLC, moins coûteuse. La version 1 To offrirait une endurance allant jusqu'à 400 To, tandis que le modèle 2 To atteindrait 800 To.

Malgré les économies réalisées sur les matériaux, ce nouveau disque ne décevra pas en termes de vitesse, exploitant au maximum l'interface PCIe Gen 4. En lecture séquentielle, la version de plus grande capacité atteindra des vitesses allant jusqu'à 7 250 Mo/s, tandis que le modèle d'un téraoctet sera légèrement en retrait avec une vitesse maximale de 7 150 Mo/s. Quant à l'écriture séquentielle, les deux capacités seront parfaitement équivalentes, développant des vitesses allant jusqu'à 6 450 Mo/s, largement suffisantes pour un fonctionnement système ultra-rapide et un chargement de programmes instantané.