最早在2028年过渡到下一代存储器?
计算机硬件行业正为DDR6内存的到来做好准备。据韩国媒体The Elec报道,领先的内存芯片制造商SK海力士、三星和美光已进入深入的规划阶段。这些制造商目前正与基础材料供应商紧密合作,在行业标准化组织JEDEC的监督下协调模块开发。
尽管制造商早在2024年就获得了规范草案的第一版,但其中并未包含所有关键技术细节,例如最终电压范围、信号使用情况、功率特性和引脚排列。然而,随着各公司已完成原型阶段并进入严格的验证流程,这些规范正在迅速完善。
预计数据传输速度将得到最大程度的提升。DDR6 标准的起始速度预计为 8,800 MT/s,并计划最终达到惊人的 17,600 MT/s(每秒一百万次传输)。这将几乎是当前 DDR5 标准上限的两倍。这一飞跃得益于采用 4×24 位子通道的全新架构,这与 DDR5 目前的 2×32 位结构截然不同。由于如此高的速度对传统的 DIMM 插槽提出了物理挑战,业界正积极转向采用 CAMM2 技术。
预计这些变化将首先应用于服务器平台,高端笔记本电脑将在量产后立即跟进。虽然之前的预测是2027年,但最新信息更为谨慎。2027年可能仅用于客户测试,全面商业出货预计将在2028年。





















